
双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)是一种由三层半导体材料构成的三端器件,包括发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。根据掺杂类型不同,可分为NPN型和PNP型两种结构。其核心工作原理基于载流子的注入与扩散:当发射结正向偏置时,多数载流子从发射极注入基区,由于基区很薄且轻掺杂,大部分载流子能穿过基区到达集电极,形成集电极电流。
尽管双极性晶体管在电子系统中广泛应用,但其长期可靠性受到多种物理机制的影响,主要包括:
高功率运行导致局部温升,引发晶格缺陷或金属互连层膨胀不均,造成开路或短路故障。尤其在高温环境下,热循环加速材料老化。
在航空航天或核工业等辐射环境中,高能粒子可产生位移损伤,改变载流子迁移率,降低增益并增加漏电流。
大电流通过金属连线时,原子因电子流作用发生迁移,导致断线或短路,是微电子器件失效的主要原因之一。
长时间工作下,基区复合中心增多,导致晶体管增益下降,表现为β值随时间衰减。
为延长器件寿命并提高系统稳定性,可采取以下策略:
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